•  分子束外延系统(MBE)
分子束外延系统(MBE)

产品介绍

        分子束外延(MBE)是一种外延制膜方法, 也是一种特殊的超高真空条件下薄膜生长工艺。外延是一种制备单晶薄膜的新技术, 它是在适当的衬底与合适的条件下, 沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。

        MBE的优点是: 膜层生长速率慢( 每秒单原子层) , 束流强度易于精确控制, 膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到原子层级别的单晶薄膜, 以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。

主要技术参数:

1、适用于III / V族, II / VI族材料外延生长

2、衬底尺寸:10mm*10mm(旗形样品托)、2英寸、3英寸、4英寸

3、样品台:四轴(XYZ和旋转)以及五轴高低温样品台@10mm*10mm(旗型样品托)

4、样品台:加热、冷却(液氮)可选

5、衬底加热温度室温至1200℃,控温精度±0.1℃。液氮低温可优于100K。旋转速率0-30rpm

6、RHEED原位表征,BFM(Beam Flux Monitor)和QCM膜厚在线监控可选

Mini MBE
Smart-100


标准旗型样品托
系统极限真空: 10-10  Torr数量级
进样室(带储存)+ 外延生长室
束源法兰:底部4*CF35,侧面4*CF35
标准旗型样品托
系统极限真空:10-10 Torr数量级
进样室(带储存)+ 外延生长室
束源法兰:底部4*CF35,2*CF63,侧面3*CF35
Smart-200

4英寸及以下衬底的生长
最大束源个数:12
可集成束源种类:K-CELL、E-BM、CRACKER、PLASMA CELL等
生长本底真空:超高真空10-11 Torr或10-10 Torr量级可选
全自动或半自动或手动控制模式可选

MBE-C

      

根据用户目前的系统定制MBE,可与STM、ARPES、XPS等表征设备进行对接