产品介绍
分子束外延（MBE）是一种外延制膜方法， 也是一种特殊的超高真空条件下薄膜生长工艺。外延是一种制备单晶薄膜的新技术， 它是在适当的衬底与合适的条件下， 沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。
MBE的优点是： 膜层生长速率慢（ 每秒单原子层） ， 束流强度易于精确控制， 膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到原子层级别的单晶薄膜， 以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。
主要技术参数：
1、适用于III / V族， II / VI族材料外延生长
2、衬底尺寸：10mm*10mm（旗形样品托）、2英寸、3英寸、4英寸
3、样品台：四轴（XYZ和旋转）以及五轴高低温样品台@10mm*10mm（旗型样品托）
4、样品台：加热、冷却（液氮）可选
5、衬底加热温度室温至1200℃，控温精度±0.1℃。液氮低温可优于100K。旋转速率0-30rpm
6、RHEED原位表征，BFM（Beam Flux Monitor）和QCM膜厚在线监控可选
Smart-200
Mini MBE
Smart-100
标准旗型样品托
系统极限真空： 10-10 Torr数量级
进样室（带储存）+ 外延生长室
束源法兰：底部4*CF35,侧面4*CF35
标准旗型样品托
系统极限真空：10-10 Torr数量级
进样室（带储存）+ 外延生长室
束源法兰：底部4*CF35，2*CF63,侧面3*CF35
4英寸及以下衬底的生长
最大束源个数：12
可集成束源种类：K-CELL、E-BM、CRACKER、PLASMA CELL等
生长本底真空：超高真空10-11 Torr或10-10 Torr量级可选
全自动或半自动或手动控制模式可选
MBE-C
根据用户目前的系统定制MBE，可与STM、ARPES、XPS等表征设备进行对接
