产品介绍
电阻蒸镀是在（超）高真空条件，采用片状或丝状的钨、钼、钽等高熔点金属做成一定形状的蒸发源（电阻元件），利用大电流通过蒸发源所产生的焦耳热，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或将膜料放入耐高温材质的坩埚中进行间接加热蒸发，并在衬底表
面成膜的真空蒸镀工艺。
面成膜的真空蒸镀工艺。
电阻热蒸镀技术是历史最悠久的P V D镀膜技术之一。通常适合熔点低于1500℃的金属薄膜的制备。
主要技术参数：
1）衬底尺寸：10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2）衬底个数：单片或多片可选
3）沉积均匀性优于±5%@4英寸(100mm)衬底
4）衬底加热温度室温至1200℃（单片），控温精度±0.1℃，旋转速率0-40rpm
5）根据蒸发材料的不同，多种坩埚形式、坩埚数量及电源功率可选
6）蒸发本底真空：高真空（10-8 Torr量级）或超高真空（10-10 Torr量级）可选
7）QCM膜厚在线监控
8）与手套箱集成可选
