产品介绍
超高真空磁控溅射系统相对于传统的磁控溅射系统本底真空更好，成膜质量更高；并且系统可以与超高真空互联系统进行对接；可用于纳米级的单层及多层功能膜-各种金属膜、半导体膜、磁性薄膜、介质膜和氧化物薄膜等的生长。磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。
主要技术参数：
1）衬底尺寸：10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2）衬底加热温度室温至1000℃，控温精度±0.1℃，旋转速率0-30rpm，靶基距可调范围100mm
3）集成多个靶枪实现共溅射或直溅射可选，标准靶或强磁靶可选，满足单层和多层薄膜沉积应用
4）沉积均匀性优于±5%@4英寸(100mm)衬底
5）射频，直流，脉冲直流和HIPMS等电源可选
6）射本底真空：高真空（10-8Torr量级）或超高真空（10-10Torr量级）可选
7）QCM膜厚在线监控
