•  磁控溅射系统(UHV-Sputter)
磁控溅射系统(UHV-Sputter)

产品介绍

        超高真空磁控溅射系统相对于传统的磁控溅射系统本底真空更好,成膜质量更高;并且系统可以与超高真空互联系统进行对接;可用于纳米级的单层及多层功能膜-各种金属膜、半导体膜、磁性薄膜、介质膜和氧化物薄膜等的生长。磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。

主要技术参数:

1)衬底尺寸:10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2)衬底加热温度室温至1000℃,控温精度±0.1℃,旋转速率0-30rpm,靶基距可调范围100mm
3)集成多个靶枪实现共溅射或直溅射可选,标准靶或强磁靶可选,满足单层和多层薄膜沉积应用
4)沉积均匀性优于±5%@4英寸(100mm)衬底
5)射频,直流,脉冲直流和HIPMS等电源可选
6)射本底真空:高真空(10-8Torr量级)或超高真空(10-10Torr量级)可选
7)QCM膜厚在线监控